12 月 27 日音讯，佳能本年 10 月宣告 FPA-1200NZ2C，这是一款纳米压印光刻（NIL）半导体设备。

  佳能社长御手洗富士夫近来表明，纳米压印光刻技能的面世，为小型半导体制作商出产先进芯片拓荒了一条新的途径。

  佳能半导体设备业务经理岩本和德表明，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图画的掩模压印在晶圆上，只需一个印记，就可以在恰当的方位构成杂乱的 2D 或 3D 电路图画，因而只需一向改善掩模，甚至能出产 2nm 芯片。

  据报导，佳能的纳米压印光刻技能可以发生至少 5 纳米工艺尺度的芯片，在现在由 ASML 主导的先进半导体制作设备商场，佳能的这项技能能不断缩小和 ASML 的距离。

  岩本和德在设备本钱上表明，因为客户本钱都不相同，单个压印工艺的估量本钱最低可以到达传统光刻设备工艺的一半。

  IT之家本年 11 月报导，御手洗富士夫表明：“NIL 产品的价格比 ASML 的 EUV 少 1 位数”。

  佳能与日本印刷归纳企业大日本印刷株式会社（Dai Nippon Printing Co.）以及存储芯片制作商铠侠控股（Kioxia Holdings Corp.）协作研讨纳米压印技能已有近十年的时刻。

  与经过反射光作业的极紫外光刻技能不同，佳能研讨的纳米压印技能是将电路图画直接印在晶圆上，然后制作出据称几许形状与最先进节点适当的芯片，但速度要慢得多。

  这种新设备有望让芯片制作商下降对芯片代工厂的依靠，一起也让台积电和三星电子等芯片代工厂更有或许批量出产芯片。佳能表明，这种机器所需功率只要 EUV 同种类型的产品的十分之一。

  佳能此前一向专心于制作一般芯片，2014 年开端大力出资纳米印记技能，收买了主攻纳米压印技能的分子压模公司 (Molecular Imprints Inc.)。作为台积电的供货商之一，佳能正在东京北部的宇都宫市建造 20 年来的第一家光刻设备新工厂，将于 2025 年投产。

  岩本和德在承受日经采访时表明，佳能现在收到了来自半导体制作商、大学和研讨机构的很多问询，客户预估该技能能作为 EUV 的替代品，有望出产包含闪存、个人计算机的 DRAM 和逻辑 IC 等各种半导体。

  关键字：引证地址：佳能押注“纳米压印”技能：下降先进工艺出产所带来的本钱，加快追逐 ASML

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